Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW)

С обзором M.2 накопителя Samsung 960 EVO (MZ-V6E250BW) можно ознакомиться здесь. Но, корейская компания Samsung уже выпустила нового бюджетного короля по соотношению цена/качество - Samsung 970 EVO, давайте его протестируем.
Итак, вот краткие характеристики 256Гб моделей M.2 NVMe накопителей, которые в ближайшем будущем будут конкурировать между собой: Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW), Western Digital WD Black (WDS250G2X0C) и Intel SSD 760p (SSDPEKKW256G8XT).
Максимальная последовательная скорость чтения: 3400, 3000 и 3210 Мб/с.
Максимальная последовательная скорость записи: 1500, 1600 и 1315 Мб/с.
Скорость произвольного чтения (4KB): 200К, 220К и 205К IOPS.
Скорость произвольной записи (4KB): 350К, 170К и 265К IOPS.
Буфер памяти: 512Мбайт DDR4 (16-битный режим), 512Мбайт DDR4-2400 (16-битный режим) и 512Мбайт DDR4-2400 (32-битный режим).
SLC кэш записи: 13, 10 и 5 Гбайт.
Ресурс TBW (Total Bytes Written): 150, 200 и 144 Тб.
Гарантия: 5 лет, 5 лет и 5 лет.
И теперь, давайте подробнее знакомиться с M.2 NVMe накопителем Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW):
Увеличьте производительность своего ПК. SSD накопители Samsung серии 970 EVO отличаются непревзойденной скоростью, лучшей в своем классе надежностью и широким диапазоном выбора емкости до 2 Тбайт. Использование технологии V-NAND, нового контроллера Phoenix (в 960 EVO был контроллер Polaris) и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite повышает плавность обработки динамичных сцен в ресурсоемких компьютерных играх и ускоряет редактирование 4K видео и 3D графики.
Оцените преимущества спецификации NVMe. SSD накопители серии 970 EVO существенно улучшают качество отображения динамичных сцен в ресурсоемких играх и ускоряют работу с потоковой графикой. Это обеспечивается благодаря использованию нового контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии TurboWrite. Скорости последовательного чтения/записи накопителей серии 970 EVO составляют соответственно 3500/2500 MБ/сек (для 1Тб модели). Скорость записи для этих накопителей на 32% больше скорости записи накопителей предшествующего поколения.
В новое поколение NVMe SSD были внесены дополнительные улучшения. Теперь SSD накопители серии 970 EVO емкостью до 2 TБ реализованы в форм-факторе M.2 (2280), что позволяет существенно увеличить объем информации, сохраняемой в накопителе и сэкономить место для других компонентов. Инновационная технология Samsung расширяет ваши возможности по хранению данных и позволяет параллельно повысить эффективность вашей работы.
Samsung поднял планку промышленного стандарта на долговечность SSD. SSD нового поколения серии 970 оснащены 5-летней гарантией по записи с лимитом до 1200 TBW (TBW гарантия для 970 EVO: 150 TBW для модели 250 ГБ, 300 TBW для модели 500 ГБ, 600 TBW для модели 1TБ, 1200 TBW для модели 2 TБ), что на 50% превышает аналогичный лимит для SSD предыдущего поколения. Исключительно высокая надежность SSD серии 970 EVO обеспечивается использованием новейшей V-NAND технологии V-NAND и высочайшим качеством, присущим продукции компании Samsung.
Оцените новый уровень надежности SSD накопителя. Улучшенное никелевое покрытие контроллера, разработанное специалистами Samsung, и используемый теплораспределитель позволили существенно улучшить теплоотвод в накопителе 970 EVO. Функция динамической теплозащиты (Dynamic Thermal Guard) автоматически мониторит и поддерживает оптимальную температуру накопителя, что сводит к минимуму снижение его производительности.
Управление работой накопителя упростилось. Приложение Samsung Magician поможет вам постоянно контролировать состояние вашего накопителя. Набор инструментов с дружественным интерфейсом поможет вам поддерживать работоспособность накопителя и даже увеличить его быстродействие.
Технические характеристики Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW):
Объем диска: 256 Гбайт. Фактически используемая емкость может быть меньше (в результате форматирования, использования операционной системой, приложениями и др.).
Форм-фактор: M.2 2280 (22мм х 80мм). Ключ М-типа.
Контроллер: Samsung Phoenix, поддержка работы в восьмиканальном режиме. 5х ядер с архитектурой ARM, одно из ядер предназначено исключительно под работу с хостом.
В 970 EVO используются 128-Гбит 48-слойная Samsung V-NAND 3-bit MLC фирменная память третьего поколения (читаем TLC).
Кэш память: 512Мбайт Samsung Low Power DDR4 SDRAM (16-битный режим).
SLC кэш записи: 13 Гбайт (9Гб фиксированный + 4Гб статический который выделен из резервной области массива флеш-памяти накопителя). Он поддерживает технологию Intellegent TurboWrite это WriteBack-схема (с отложенной записью).
Интерфейс: PCIe 3.0 x4 NVMe 1.3. Пропускная способность: 32 Гбит/с (4 Гбайт/с). Ключ типа М, занимающий контактные позиции 59-66, означает, что слот обладает четырьмя линиями PCI Express и поэтому может обеспечить более высокую производительность.
Скорость последовательного чтения: 3400 Мбайт/с.
Скорость последовательной записи: 1500 Мбайт/с.
*Значения скорости последовательной записи после TurboWrite region составили: 300 MБ/с (250ГБ), 600 MБ/сек (500 ГБ), 1200 MБ/сек (1 ТБ) и 1250 MБ/сек (2 ТБ).
Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32): до 200000 IOPS.
Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32): до 350000 IOPS.
Случайное чтение (4KB, QD1): до 15000 IOPS.
Случайная запись (4KB, QD1): до 50000 IOPS.
Поддержка режима сна.
Поддержка технологий: TRIM, S.M.A.R.T, Dynamic Thermal Guard.
Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для максимальной производительности. Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора.
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод).
Ударостойкость: 1500 G/0,5 мс по 3 осям (полусинус).
Поддержка напряжения: 3.3В.
Энергопотребление в ждущем режиме: 30 мВт.
Потребляемая мощность чтение/запись: 4.2/5.4 Вт. И максимальное потребление: 9 Вт (режим Burst).
Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1.5 миллиона часов.
Диапазон рабочих температур: 0 — 70С.
Размеры: 80,15 x 22,15 x 2,38 мм. Вес: 8 грамм.
Гарантия: 5 лет или 150 TBW (в зависимости от того, какой ресурс будет выработан раньше).

..............................

Фото коробки твердотельного M.2 накопителя Samsung 970 EVO с фронтальной стороны, на которой нет никакой дополнительной информации:

Фото коробки диска Samsung 970 EVO с обратной стороны (с дополнительной информацией):



Защитная наклейка на ребре коробки:

Серийный номер на наклейке диска, и страна производства, в нашем случае это Китай. Обращаем внимание на дату на наклейке: 2018/06/05, т.е. упакован накопитель был 5 июня, а куплен был 15 июля.

Внутри коробки M.2 диск Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW) упакован в белый плексигласовый контейнер, предохраняющий его от повреждений при транспортировке.

Фото контейнера с обратной стороны:

Вкладыш с накопителем Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW) можно вытащить из контейнера, и под ним находится руководство пользователя.

Руководство пользователя как обычно не переведено на русский язык.

Печать на руководстве пользователя довольно кривая, видимо очень торопились. И как в поставке Samsung 960 EVO (MZ-V6E250BW), нас сразу же встречает отдельный гарантийный талон.

Фото самого M.2 накопителя Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW):

M.2 накопитель Samsung 970 EVO (MZ-V7E250BW) с обратной стороны. Как и в версии накопителя Samsung 960 EVO (MZ-V6E250BW), здесь использована не просто наклейка, а тонкий медный теплораспределитель. Об эффективности подобного решения спорят до сих пор.

Интересно почитать как некоторые интернет издания пытаются найти плюсы Samsung 970 EVO относительно Samsung 960 EVO:
Плотность V-NAND памяти: "младшая модель 970 Evo может оказаться медленнее предшествующей разработки, да и от старших отставать заметно".
Последовательная запись: "при емкости же 250 ГБ полная ёмкость кэш-памяти не превышает 12 ГБ — это больше, чем у многих конкурентов (даже большей емкости), но может оказаться недостаточно на практике".
Последовательная скорость записи: "но сравнительно с конкурирующими разработками не такой он и медленный, надо заметить, так что 970 Evo на 250 ГБ оказывается самым медленным в линейке, но одним из самых быстрых NVMe SSD на TLC-памяти той же емкости".
Чтение 32Гб данных: "скорость последовательного чтения в новом семействе увеличилась, причем заметно это не только в низкоуровневых утилитах".

..............................

Вторая страница.