GS SSD PCI-e (NVMe)

GS Nanotech (центр разработки микроэлектроники в составе GS Group) начал производство твердотельных накопителей (SSD) с интерфейсом PCI Express, обеспечивающим до 5 раз более высокую скорость произвольных операций*. Объем памяти SSD достигает 2 ТБ. Разработка и производство устройств полностью локализованы в России в инновационном кластере «Технополис GS» (инвестиционный проект GS Group в г.Гусеве, Калининградская область).
PCI Express (PCI-e) — это интерфейс, через который SSD соединяется с другими устройствами. PCI-e позволяет обмениваться информацией со скоростью до 32 Гбит/с, в то время как для SATA 3.0 этот показатель не превышает 6 Гбит/с. SSD с интерфейсом PCI-e работают на специальном протоколе NVM Express, который поддерживает многоканальную работу — несколько приложений взаимодействуют с памятью одновременно, что ускоряет работу устройства и повышает его надежность, так как каналы резервируют друг друга. В результате скорость произвольных операций (ключевой показатель быстродействия SSD) у накопителей с интерфейсом PCI-e до 5 раз выше по сравнению с устройствами с интерфейсом SATA 3.0.
«В соответствии со стратегией развития производства носителей данных GS Group мы продолжаем расширять ассортимент твердотельных накопителей корпоративного класса для различных задач. Как мировой, так и российский рынок систем хранения данных интенсивно растут, и мы видим значительный интерес к отечественным разработкам в этой области. Интеграторов привлекает возможность контролировать производство на всех этапах, гарантии отсутствия «закладок», возможность производства небольших партий кастомизированных устройств», — отметил генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.
GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (solid-state drive, твердотельные накопители)– немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. Первый серийный образец накопителя емкостью 256 Гб с интерфейсом SATA 3.0 был выпущен в 2017 году. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производства SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых – последнее поколение кристаллов 3D TLC NAND памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл – разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий – реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.


GS SSD PCI-e (NVMe)

Основные технические характеристики GS SSD PCI-e (NVMe):
Объём линейки накопителей до 2 Тб.
Тип памяти: 3D TLC.
Контроллер: Silicon Motion SM2262ENG.
DRAM буфер производства Nanya.
Интерфейс: PCIe NVMe 1.3.
Максимальная скорость последовательной записи/чтения, не менее: 3200 Мб/с.
Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash памяти и объема накопителя.
Максимальная скорость произвольной записи/чтения, не менее: 70000 IOPS/400000 IOPS.
Ресурс (циклов перезаписи полного объема в день): до 3.
Новость с сайта: www.gsnanotech.ru.

  Направляющие кольца www.krpms.ru.
Рейтинг@Mail.ru