Ноутбук для работы с видео

Оперативная память (RAM).
Базовые тактовые частоты поддерживамой оперативной памяти (RAM, SO-DIMM) выросли, и у Intel и у AMD процессоров это DDR4-3200.

..............................

Дисковая подсистема. Здесь у AMD ничего не изменилось, она поддерживает только M.2 PCIe NVMe накопители с интерфейсом PCIe 3.0.
У процессоров Intel 11-го поколения, есть поддержка интерфейса PCIe 4.0, используются линии процессора. Второй слот поддерживает только накопители M.2 PCIe 3.0/SATA (можно установить PCIe 4.0 накопитель, но работать он будет только в рамках PCIe 3.0 интерфейса).
*Исключение составляют ноутбуки у которых забрали х8 линий у видеокарты и отдали для M.2 накопителей, например ноутбук: Dell XPS 17 9710 - поддерживает установку двух M.2 NVMe накопителей и обеспечивает им полуную скорость PCIe 4.0 x4.
Популярные модели OEM накопителей (меньше 512ГБ не рассматриваем варианты) устанавливаемые в ноутбуки Intel по-умолчанию:
- Samsung PM9A1 MZVL22T0HBLB, это OEM вариант накопителя Samsung 980 Pro. Его характеристики:
2ТБ, 8-канальный контроллер Samsung Elpis (S4LV003) и 512МБ LPDDR4 памяти, последоватальная скорость чтения/записи: 7000 и 5200 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 1000K и 850K. 136-слойная 3D-NAND TLC память Samsung (V-NAND 6-го поколения). 5 лет гарантии.

Два Samsung PM9A1 накопителя при работе в RAID 0 в PCIe 4.0 x4 слотах (например в серии ноутбуков Dell XPS 17 9710).

При использовании Samsung PM9A1 MZVL22T0HBLB в PCIe 3.0 x4 слоте на платформе AMD:

- Samsung PM9A1 MZVL21T0HCLR, это OEM вариант накопителя Samsung 980 Pro. Его характеристики:
1ТБ, 8-канальный контроллер Samsung Elpis (S4LV003) и 512МБ LPDDR4 памяти, последоватальная скорость чтения/записи: 7000 и 5100 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись: 1000K и 850K. 136-слойная 3D-NAND TLC память Samsung. 5 лет гарантии.

Бывает и так:

- Samsung PM9A1 MZVL2512HCJQ, это OEM вариант накопителя Samsung 980 Pro. Его характеристики:
512ГБ, 8-канальный контроллер Samsung Elpis (S4LV003) и 512МБ LPDDR4 памяти, последоватальная скорость чтения/записи: 6900 и 5000 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись: 800K и 800K. 136-слойная 3D-NAND TLC память Samsung. 5 лет гарантии.

PCIe 3.0 накопители для процессоров AMD:
- Samsung PM991a MZVLQ512HBLU, это OEM накопитель. Его следующими характеристики:
512ГБ, контроллер Elpis, последоватальная скорость чтения/записи: 3100 и 1800 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись: 350K и 320K. 96-слойная 3D-NAND TLC память Samsung (V-NAND 5-го поколения). 5 лет гарантии.

- Samsung PM991 MZVLQ512HALU, это OEM накопитель. Его следующими характеристики:
512ГБ, контроллер Elpis, последоватальная скорость чтения/записи: 2200 и 1200 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись: 120K и 240K. 96-слойная 3D-NAND TLC память Samsung (V-NAND 5-го поколения). 5 лет гарантии.

- Samsung PM981a MZVLB2T0HALB, это OEM накопитель (Samsung 970 EVO Plus). Его следующими характеристики:
2ТБ, контроллер Phoenix, последоватальная скорость чтения/записи: 3500 и 3000 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись: 580K и 500K. 96-слойная 3D-NAND TLC память Samsung (V-NAND 5-го поколения). 5 лет гарантии.

- SK Hynix HFM001TD3JX013N, это OEM вариант накопителя SK Hynix BC711, со следующими характеристиками:
1ТБ, последоватальная скорость чтения/записи: 3500 и 3100 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 520K и 530K. 128-слойная 3D NAND TLC память SK Hynix. Потребление (активная запись/чтение) - 3.5Вт.

- SK Hynix HFM512GD3HX015N, это OEM вариант накопителя SK Hynix BC711, со следующими характеристиками:
512ГБ, последоватальная скорость чтения/записи: 3500 и 3000 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 520K и 530K. 128-слойная 3D NAND TLC память SK Hynix. Потребление (активная запись/чтение) - 3.5Вт.

- Micron 2300 1TB MTFDHBA1T0TDV, это OEM накопитель который пришёл на смену популярной модели Micron 2200S, со следующими характеристиками:
1ТБ, последоватальная скорость чтения/записи: 3300 и 2700 МБ/с. 96-слойная 3D NAND TLC память Micron. Потребление (активная запись/чтение) - 5.5Вт. Ресурс: 600 TBW. 3 года гарантии.

- Kingston OM8PDP31024B-A01, это OEM накопитель для разработчиков и сборщиков систем, со следующими характеристиками:
1ТБ, последоватальная скорость чтения/записи: 2400 и 1800 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 150K и 120K. Четырёхканальный контроллер PS5013-E13T и Kioxia BiCS4 TLC Flash память. Потребление (активная запись/чтение) - 3.0 и 2.5Вт. Ресурс: 640 TBW. 3 года гарантии.
- Kingston OM3PDP353512B-AD (OM8PCP3512F-AI1), это OEM накопитель, со следующими характеристиками:
512ГБ, последоватальная скорость чтения/записи: 2400 и 1100 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2230. 3 года гарантии.

- Kingston OM8PCP3512F-AB (OM8PCP3512F-AI1), это OEM накопитель, со следующими характеристиками:
512ГБ, последоватальная скорость чтения/записи: 2400 и 1100 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 150K и 100K. Четырёхканальный контроллер PS5013-E13T и Kioxia BiCS4 TLC Flash память. Потребление (активная запись/чтение) - 2.5Вт. Ресурс: 320 TBW. 3 года гарантии.

Если накопитель заполнен, то последовательная скорость записи может сильно упасть:

- WDC PC SN730 SDBPNTY-1T00, это OEM накопитель, со следующими характеристиками:
1ТБ, последоватальная скорость чтения/записи: 3400 и 3100 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 550K и 550K. Ресурс: 400 TBW. 5 лет гарантии.

- WDC PC SN730 SDBQNTY-512GB, это OEM накопитель, со следующими характеристиками:
512ГБ, последоватальная скорость чтения/записи: 3400 и 2700 МБ/с. Производительность (IOPS) чтение/запись (4 Кбайт, QD32): 460K и 400K. Ресурс: 300 TBW. 5 лет гарантии.

..............................